SK하이닉스, 3세대 '10나노급 DDR4 D램' 개발

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SK하이닉스, 3세대 10나노급 DDR4 D램 개발

연내 양산 준비 완료해 내년부터 본격 공급 예정

 

[갓잇코리아 / 조가영 기자] SK하이닉스가 PC와 서버에 들어가는 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 D램 개발에 성공했다. SK하이닉스는 21일 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했다고 밝혔다.

 

이번 제품은 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해, 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존하는 D램 중 가장 크다. 2세대(1y) 제품 대비 생산성이 약 27% 향상됐으며, 초고가의 EUV(극자외선) 노광 공정 없이도 생산 가능해 원가 경쟁력도 갖췄다고 회사 측은 설명했다.

 

회사 관계자는 “이 데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다”면서 “전력 효율도 대폭 높여 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다”고 했다.

 

DDR(Double Data Rate)은 JEDEC(국제반도체표준협의기구)에서 규정한 D램의 표준 규격이다. DDR1부터 숫자로 세대가 구분되며, 세대가 높을 수록 데이터 처리 속도와 전력 소비 성능이 개선된다. 특히 3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량(Capacitance)을 극대화했다. 또한 새로운 설계 기술을 도입해 동작 안정성도 높였다.

 

이정훈 D램개발사업 1z TF장 담당은 “3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰, 고성능·고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라며 “연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 밝혔다.

 

한편 SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해 나갈 계획이다.

 

SK하이닉스 세대 10나노급 DDR4 D램 개발 ⓒ 갓잇코리아
SK하이닉스 세대 10나노급 DDR4 D램 개발 ⓒ 갓잇코리아

 


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